Каталог
Каталог →
Модуль памяти Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
физических лиц: 3 476 руб.
Страна производитель по последней поставке: Корея, республика
Артикул: 11005786
Доставка: 15.05.2024
Основные характеристики | - |
Производитель | Samsung |
Линейка | - |
Модель | M323R1GB4DB0-CWM |
Тип оборудования | Оперативная память |
Частота (MHz) | DDR4 - 4800 |
Тип модуля | DIMM |
Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
Пропускная способность (МБ/с) | 38400 |
Поддержка ECC | Нет |
Поддержка Reg | Нет |
Низкопрофильная | нет |
Количество чипов на модуле | - |
Количество контактов | 288 |
Тайминги | - |
CAS Latency (CL) | 40 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
Row Precharge Delay (tRP) | - |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
Тайминги | - |
Охлаждение | - |
Радиатор | Нет |
Поддержка водяного охлаждения | - |
Дополнительные характеристики | - |
Цвет | - |
Подсветка | нет |
Напряжение (В) | 1.1 |
Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
Компоновка чипов на модуле | - |
Чип | - |
Потребление энергии | - |
Габариты (мм) | - |
Высота (мм) | - |
Вес (грамм) | - |
Дополнительная информация | - |
Сайт производителя | |
Сервисный центр производителя |
Вся информация (включая цены) на этом интернет-сайте носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Компания оставляет за собой право в любое время без специального уведомления вносить изменения, удалять, исправлять, дополнять, либо любым иным способом обновлять информацию, размещенную во всех разделах данного сайта. Для получения подробной информации о стоимости, сроках и условиях поставки просьба обращаться по указанным на сайте телефонам.