Каталог

Каталог

Модуль памяти Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Цена для:
юридических лиц: 3 534 руб.
физических лиц: 3 463 руб.
Страна производитель по последней поставке: Филиппины
Артикул: 11010301
Доставка: Уточните у менеджера
Уточните у менеджера
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Основные характеристики-
ПроизводительSamsung
Линейка-
МодельM425R1GB4BB0-CWM
Тип оборудованияОперативная память
Частота (MHz)DDR5 - 5600
Тип памяти DDRDDR5
Тип памятиSO-DIMM
Объем одного модуля (ГБ)8
Количество модулей в комплекте (шт)1
Общий объем памяти (ГБ)8
Пропускная способность (МБ/с)44800
Поддержка ECCНет
Поддержка RegНет
Низкопрофильнаянет
Количество чипов на модуле-
Количество контактов262
Тайминги-
CAS Latency (CL)-
RAS to CAS Delay (tRCD)-
Row Precharge Delay (tRP)-
Activate to Precharge Delay (tRAS)-
Тайминги-
Охлаждение-
РадиаторНет
Поддержка водяного охлаждения-
Дополнительные характеристики-
Цвет -
Подсветканет
Напряжение (В)1.1
Нормальная операционная температура (Tcase)-
Расширенная операционная температура (Tcase)-
Компоновка чипов на модуле-
Чип-
Потребление энергии-
Габариты (мм)-
Высота (мм)-
Вес (грамм)-
Дополнительная информация-
Сайт производителя Сайт производителя
Сервисный центр производителя Сервисный центр производителя

Вся информация (включая цены) на этом интернет-сайте носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Компания оставляет за собой право в любое время без специального уведомления вносить изменения, удалять, исправлять, дополнять, либо любым иным способом обновлять информацию, размещенную во всех разделах данного сайта. Для получения подробной информации о стоимости, сроках и условиях поставки просьба обращаться по указанным на сайте телефонам.